倒裝鍵合
芯片尺寸:5*5mm-5*5cm 厚度<2mm,溫度<450℃ 精度:±3μm,壓力<100kg,2寸晶圓對(duì)晶圓鍵合
晶圓鍵合
陽(yáng)極鍵合、共晶鍵合(PbSn,AuSn,CuSn,AuSi等等)、膠鍵合(BCB,SU8,鍵合專用膠),對(duì)準(zhǔn)精度±5μm
點(diǎn)膠
工作范圍:≤300*300mm,膠量控制:容積式和氣壓式,膠水黏度<50kCPS,單次膠量<0.16900ml,時(shí)間設(shè)置范圍<9.999sec
貼片
銀漿、焊料
引線
球形焊、楔形焊;Au線,Al線
回流爐
真空:2mbar,溫度<450℃±0.05℃
平行封焊
各類金屬管殼,位置精度:±0.0381mm,壓力<5kg
TSV(硅通孔)工藝
1、通孔的形成;2、絕緣層、阻擋層和種子層的淀積;3、電鍍填充,去除和再布線;4、晶圓減??;5、鍵合、劃片
TGV(玻璃通孔工藝)
可完成打孔、沉積、填充再布線、減薄、鍵合劃片等。
案例展示
底層管芯與頂層管芯堆疊連接 Cu-Cu Metal Diffusion Bond TSV(Cu&Sn鍵合)Process Ultra High Density TGV For MEMS