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測(cè)試服務(wù)

測(cè)試服務(wù)

Testing service

薄膜應(yīng)力測(cè)試
儀器簡介:
薄膜應(yīng)力儀,系統(tǒng)采用非接觸MOS激光技術(shù);不但可以對(duì)薄膜的應(yīng)力、表面曲率和翹曲進(jìn)行精確的測(cè)量,而且還可二維應(yīng)力Mapping成像統(tǒng)計(jì)分析;同時(shí)可精確測(cè)量應(yīng)力、曲率隨溫度變化的關(guān)系;
技術(shù)參數(shù):
1.XY雙向程序控制掃描平臺(tái)掃描范圍:300mm;2m (XY)(可選); 
2.掃描速度:20mm/s(x,y); 
3. XY雙向掃描平臺(tái)掃描*小步進(jìn)/分辨率:1 μm; 
4.平均曲率分辨率:2×10-5 1/m (1-sigma); 
5.中心曲率測(cè)量范圍:Minimum Concave: 2.0m,Minimum Convex: -2.0m; 
                               Maximum Concave: 50km Maximum Convex: - 50km; 
6.應(yīng)力測(cè)量精度:1% 或0.32MPa; 
7.中心應(yīng)力測(cè)量范圍:Minimum Concave: 0.32MPa Minimum Convex: 0.32MPa; 
                               Maximum Concave: 7.80 GPa Maximum Convex: 7.80 GPa
8.應(yīng)力測(cè)量分辨:0.32MPa;
9.平均應(yīng)力重復(fù)性:0.02MPa;
10.Bow測(cè)量高度:0.67mm;
11.Bow測(cè)量分辨率:30nm;



為什么深硅刻蝕中C4F8能起到鈍化作用?
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2024-11-27

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2024-11-29

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【MEMS工藝】三種常見CVD技術(shù),你知道的有哪些?
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2024-11-04

本文將詳細(xì)介紹目前三種常見的CVD技術(shù)——低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)以及高密度等離子體化學(xué)氣相沉...

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2024-11-05

在半導(dǎo)體芯片制造中,從原材料處理到最終封裝測(cè)試,整個(gè)流程涉及上千道工序,每一環(huán)節(jié)都需要精確控制,以確保芯片的性能與質(zhì)量。隨著科技的飛速發(fā)展,...

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